Silicon Etch
Tecnologia utilizzante Difluoruro di Xenon in fase vapore per la rimozione a secco di strati sacrificali
Oxide Etch
Orbis 1000 processo brevettato per la rimozione di strati sacrificali di SiO2, compatibile con una vasta gamma di Metalli, e che utilizza Acido Fluoridrico Anidro in fase vapore, per il rilascio a secco di strutture MEMS, con elevate selettività anche rispetto al Si3N4.
Esempi applicativi | Sensori, RF MEMS, microbolometri, accelerometri, interruttori RF, misuratori di temperatura |
Tecnologia di processo | piattaforma memsstar |
Orbis Alpha |
Orbis 1000 |
Orbis 3000 |
Vapor HF Etching | “Xeric Oxide” | “Orbis Alpha Xeric Oxide” | “Orbis 1000 Xeric Oxide” | Moduli di processo selezionabili: Xeric Oxide or Silicon, Aurix |
XeF2 Etching | “Xeric Silicon” | “Orbis Alpha Xeric Silicon” | “Orbis 1000 Xeric Silicon” | |
SAM Coating | “Aurix” | “Orbis Alpha Aurix” | “Orbis 1000 Aurix” |