Wafer SOI

Il silicio su isolante (SOI) rappresenta una svolta nella tecnologia dei wafer di semiconduttori, superando i metodi tradizionali di silicio sfuso. Introducendo un sottile strato isolante, tipicamente ossido di silicio, tra uno strato di silicio e il substrato di silicio, SOI riduce significativamente la capacità di giunzione. Ciò si traduce in dispositivi dinamici che sono fino al 15% più veloci e consumano il 20% in meno di energia rispetto ai chip convenzionali basati su semiconduttori complementari a ossido di metallo (CMOS).

L’impatto del SOI si estende a diversi settori industriali grazie alla sua capacità di migliorare l’efficienza dei dispositivi elettronici. Trova applicazione nell’informatica ad alte prestazioni, nelle telecomunicazioni, nel settore automobilistico e nell’Internet degli oggetti (IoT). I wafer SOI sono parte integrante dell’avanzamento delle tecnologie all’avanguardia, in quanto forniscono velocità e capacità di risparmio energetico notevoli.

Offriamo wafer SOI di alta qualità con diversi spessori per il Device Layer, il BOX Layer e l’Handle Layer. La nostra linea di produzione è orientata ai wafer da 8 pollici, ma possiamo lavorare anche diametri più piccoli con specifiche personalizzate. I nostri servizi sono flessibili e partono da una quantità minima di 1 pezzo, rendendoli adatti ai vostri progetti di ricerca o alla fase di R&S.

CAPACITÀ

siamo in grado di fornire soluzioni personalizzate per le vostre specifiche esigenze di progetto. Per le specifiche attualmente disponibili, consultare l’elenco delle scorte.

Wafer di silicio su isolante (SOI)

Device Layer -TOP Min. Max.
Crystal Growth Method CZ,FZ
Diameter 2″ 8″
Thickness 0.05μm >300μm
Tolerance ±5%
Crystal Orientation (100),(110),(111)
Type/Dopant P/Boron,N/Phosphorus,Intrinsic
Resistivity 0.001 ohm-cm >20,000 ohm-cm
Front Surface Polished
Buried Oxide -BOX layer Min. Max.
Thickness 0.1μm 3μm
Tolerance ±5%
Handle Layer Min. Max.
Crystal Growth Method CZ,FZ
Diameter 2″ 8″
Thickness 200μm 750μm
Tolerance ±5%
Crystal Orientation (100),(110),(111)
Type/Dopant P/Boron,N/Phosphorus,Intrinsic
Resistivity 0.001 ohm-cm >20,000 ohm-cm
Back Surface Etched or Polished with Oxide
Overall Wafer Characteristics Min. Max.
TTV <5μm
BOW <20μm
Lead time 9-12 weeks (On Average)

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