Costruito sulla collaudata piattaforma per la ricerca e la produzione, il PlasmaPro ASP è stato progettato per garantire materiali di alta qualità che possono essere depositati a velocità elevata e con la possibilità di eseguire più chimiche per ottenere film con eccellenti proprietà. Il sistema ALD (atomic layer deposition) è all’avanguardia ed è dotato di un plasma potenziato ed offre la flessibilità, la conformità ed il controllo tipici dell’ALD ma con maggiore velocità permettendo una maggiore produttività e film più spessi.

Caratteristiche

• 3 volte più veloce del plasma remoto convenzionale
• Consumo ridotto dei precursori, a tutto vantaggio dell’ambiente e dei costi di gestione.
• Elevata qualità del materiale
• Bassi costi di manutenzione
• Facilità di manutenzione e assistenza
• Camera di processo con volume ridotto per una migliore velocità
• Riduzione dei danni al substrato
• Maggiore stabilità del processo

– elevata ed uniforme densità dei radicali e basse energie ioniche per un danno ridotto e una rapida saturazione
– Il controllo PLC e AMU consente un rapido striking

• Eccellente controllo dei precursori e del processo
  – Fino a 6 precursori, liuidi o vapore
• Elettrodo per wafer
  – Elettrodo per wafer da 200 mm con bias
  – Temperatura di deposizione fino a 400 °C
  – Camera interna riscaldata a 200 °C
• Sistema di controllo
  – Facilità di manutenzione e cablaggio semplificato
  – Diagnostica migliorata per l’assistenza
  – Nessun rack separato per l’elettronica

Applicazioni

• Passivazione di HEMT GaN a basso danno per dispositivi di elettronica di potenza e RF
• Nitruri conduttivi a basso contenuto di ossigeno con sorgente al plasma interamente metallica che consente tempi di ciclo rapidi, adatti per dispositivi quantistici
• Incapsulamento del grafene a basso danno per applicazioni Datacom