PlasmaPro 100

Il PlasmaPro 100 è una piattaforma modulare con loadlock in grado di trattare substrati fino a 200 mm. Grazie alla particolare configurazione, è possibile ottenere elevate prestazioni, eccellente uniformità e controllo delle caratteristiche del film.

PlasmaPro 100 RIE

Il PlasmaPro 100 RIE è in grado di fornire attacchi dry isotropici ed anisotropici per un’estesa varietà di processi.

Applicazioni tipiche:

• Attacchi di materiali III-V
• Lasers InP
• VCSEL GaAs/AlGaAs etch
• RF GaN
• Diamond Like Carbon (DLC)
• SiO2 e quarzo
• Metalli quali alluminio, cromo, titanio
• Polimeri e fotoresist
• Failure analysis

PlasmaPro 100 PECVD

PlasmaPro 100 PECVD è progettato per realizzare film di alta qualità con eccellente uniformità e controllo delle proprietà del film quali indice di rifrazione, stress, caratteristiche elettriche.

Applicazioni:

• Nitruro di silicio ed ossido di silicio di alta qualità, per applicazioni nella fotonica, dielettrici, passivazione.
• SiC (carburo di silicio)
• A-Si e Poly-Si
• Maschere per la produzione di LED
• Possibilità di utilizzare precursori liquidi

PlasmaPro 100 ICPCVD

Il PlasmaPro 100 ICPCVD è progettato per la realizzazione di film di alta qualità a basse temperature di crescita grazie al plasma remoto ad alta intensità che permette di ottenere una qualità del film superiore limitando i danni al substrato.

Applicazioni:

• Eccellente qualità del film depositato a basse temperature
• Tipici materiali depositati: SiO2, Si3N4, SiON, Si e SiC ad una temperatura del substrato pari a 5 °C
• Sorgente ICP con dimensioni a scelta di 65, 180 o 300 mm
• Dimensioni del substrato fino a 200 mm
• Intervallo operativo di temperatura dell’elettrodo compreso tra 5 e 400 °C
• Tecnologia di distribuzione dei gas brevettata
• Pulizia della camera in situ con EPD
• Possibilità di utilizzare precursori liquidi quali TTIP per TiO2 e TEOS per SiO2

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE

Il PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE utilizza il plasma ad alta densità ed accoppiato induttivamente per ottenere elevate velocità di attacco.

Applicazioni

• Attacchi di materiali III-V
• NbN e Ta per dispositivi quantistici
• Lasers InP
• GaAs/AlGa
• SiC e GaN
• Metalli quali Al, Cr, Ni
• SiOx
• Silica e quarzo
• Si
• Maschere

PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE Etch

Il sistema PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE utilizza un plasma ad alta densità accoppiato induttivamente per ottenere velocità di incisione elevate.

Applicazioni:

• Ampia libreria di processi per l’attacco di materiali III-V
• NbN e Ta per dispositivi quantistici
• Applicazioni dei semiconduttori composti:
• Laser a stato solido InP etch
• Attacco VCSEL GaAs/AlGaAs
• Elettronica di potenza/RF Incisione di SiC e GaN
• Ampia libreria di processi di incisione di metalli: Al, Cr, Ni, ecc.
• Attacco di SiOx e SiO2
• Attacco di silice fusa e quarzo
• Attacco di Si
• Attacco di maschere rigide SiO2 e SiNx