Il sistema Flextura R&D Cluster è una piattaforma da ricerca e sviluppo davvero unica, con una base dei migliori e più affidabili componenti industriali e opzioni per i più recenti processi di deposizione in combinazione con l’analisi avanzata dei film sottili. Questo nuovo concetto, sta rivoluzionando il modo di pensare modulare dei sistemi PVD. Da una singola camera con processi di evaporazione o sputtering come sistema autonomo a un efficiente strumento di ricerca e sviluppo con più processi avanzati.
In conclusione, la piattaforma Flextura R&D Cluster fornisce risultati avanzati di ricerca sui film sottili in modo più rapido grazie alla deposizione automatizzata e, in una certa misura, all’analisi automatizzata dei risultati per il ricercatore che avrà più tempo per interpretare i risultati, scrivere articoli e ottimizzare o trovare il prossimo materiale meraviglioso!
CARATTERISTICHE PRINCIPALI
MODULI DI PROCESSO
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APPLICAZIONI SPECIALI
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- Camera di deposizione ad alta temperatura fino a 1000 gradi C
- Maggiore qualità dello strato
- Crescita epitassiale
- Camera di sputtering HiPIMS (altamente ionizzata)
- Metallizzazione ad alto rapporto d’aspetto
- Regolazione delle proprietà dello strato
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- Magnetron sputtering diretto (DC, RF e pDC)
- Camera multi-magnetron (co-sputtering)
- Evaporazione a fascio di luce
- Etching RF/ICP, degasaggio, raffreddamento, stazione di allineamento
- Trattamento di singoli wafer o di lotti direttamente da cassetta a cassetta
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- Struttura del processo per la crescita epitassiale di film sottili a temperature elevate fino a 1000C
- Deposizione ad angolo vivo per evaporazione o sputtering
- Controllo dinamico di feedback in situ tramite PEM o RGA nello sputtering reattivo
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- Sputtering HiPIMS per deposizione altamente ionizzata
- Sputtering al plasma remoto
- Opzione di polarizzazione RF/DC
- Tecnologia software di processo leader di mercato per un controllo accurato della deposizione in tempo reale
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CARATTERISTICHE DEL SISTEMA
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MODULI ANALITICI INTEGRATI
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- Da cassetta a cassetta (tipicamente 10 pezzi di substrati, supporti o maschere)
- Ricetta individuale per ogni substrato o ricetta per batch
- Trattamento PVD avanzato ad alta temperatura di soluzioni di semiconduttori non standard
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- Camere multi-magnetron per una vera co-deposizione
- Caricamento automatico su un singolo batch fixture
- Trattamenti dal basso verso l’alto o dall’alto verso il basso
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- In-situ durante il processo di deposizione o di etch
- RHEED (Reflective High Energy Electron Diffraction) per il monitoraggio della crescita epitassiale
- PEM (Plasma Emission Monitoring) per la regolazione dinamica e il controllo della stechiometria nei processi di sputtering reattivi
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- Camera analitica UHV collegata al cluster (analisi senza rottura del vuoto)
- LEED (Diffrazione di elettroni a bassa energia)
- UPS (Spettroscopia di fotoemissione ultravioletta)
- XPS (Spettroscopia di fotoemissione a raggi X)
Altro su richiesta
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