I vantaggi dei compound semiconductor per i semiconduttori

Compound semiconductor

I nostri fornitori con un’attenzione particolare ai wafer di carburo di silicio, va oltre la fornitura di materiali composti. Vantiamo diverse linee di produzione dedicate ai wafer di carburo di silicio, sfruttando la nostra consolidata esperienza per soddisfare le vostre esigenze specifiche.

La nostra fiducia nel soddisfare le vostre esigenze deriva dal nostro impegno di lunga data verso l’eccellenza. Con una comprovata esperienza e una conoscenza approfondita delle applicazioni di questi materiali avanzati, i nostri fornitori sono partner affidabile nell’industria dei semiconduttori. La combinazione di linee di produzione consolidate e competenze specialistiche ci pone all’avanguardia nella fornitura di soluzioni all’avanguardia per i semiconduttori.

Specifiche dei wafer in carburo di silicio (SiC)

Grade		Zero MPD	Production	Research Grade	Dummy Grade
Diameter		50.8 ±0.38 mm // 76.2 ±0.38 mm // 100+0.5 mm // 150±0.25mm
Thickness	4H-N	350μm ± 25μm
Thickness	4H-SI	500μm ± 25μm
Wafer Crystal Orientation		Off axis:4.0° toward 1120! ± 0.5° for 4H-N On axis: <0001> ± 0. 5° for 4H-SI
Micropipe Density		<1cm-2	<5cm-2	<15cm-2	<50cm-2
Resistivity	4H-N	0.015 ~ 0.028ohm-cm
Resistivity	6H-N	0.02 ~ 0.1ohm-cm
Resistivity	4/6H-SI	>1E5Q-cm (90%)			>1E5Q-cm
Primary Flat		{10-10} ± 5.0°
Primary Flat Length		15.9 mm ± 1.7 mm // 22.2 mm ± 3.2 mm // 32.5 mm ± 2.0 mm // 47.5 mm ± 2.5mm
Secondary Flat Length		8.0 mm ± 1.7 mm // 11.2 mm ± 1.5 mm, 18.0mm ± 2.0 mm // —–
Secondary Flat Orientation		Silicon face up: 90° CW from Prime flat ± 5.0°

Indium Phosphide (InP) Specifications

Growth Method	VGF
Type/Dopant	Undoped // N/S/Sn // P/Zn
Size	2inch	3inch	4inch
Diameter (mm)	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.3
Thickness (um)	350±25	625±25	625±25
OF(mm)	16±2	22±2	32.5±2
IF(mm)	8±2	12±2	18±2
Orientation	(100)±0.5
TTV(um)	≦10	≦15	≦15
Bow(um)	≦15	≦15	≦15
Wrap(um)	≦15	≦15	≦15
Surface	Polished/Etched
Epi-ready	Yes

Specifiche dei wafer di arseniuro di gallio (GaAs)

Diamter	50 ~ 150mm ± 0.25mm(2″ // 3″ // 4″ // 6″)
Material	Single Crystal Gallium Arsenide
Growth Method	VGF // LEC Grown
Crystal Orientation	<100> // <111>
Crystal Orientation	α 0 ± β 0, off angle α and accuracy β upon request
Dopant	Undoped // Zn // Si // Te
Thickness	350 ± 25um // 550 ± 25um // 625 ± 25um
Mobility	1500 ~ 3000 // 3000 ~ 5000 cm2 / V·sec
Primary Flat	<0-1-1> ± 0.5deg, 16 ±1.0mm // 22±1.0mm // 32.5±1.0mm
Secondary Flat	<0-1-1> ± 5.0 deg, 8 ±1.0mm // 11±1.0mm // 18±1.0mm
Front-side	Polished in Epi-ready Prime grade
Back-side	Polished / Lapping or Etched
Epi-ready	Yes

Specifiche dei wafer di germanio (Ge)

Diameter	2 inch ~ 6 inch
Thickness	175um // 200um / 400um // 500um // 625um
Type/Dopant	Undoped	N/Sb	P/Ga
Resistivity (Ω・cm)	>30	>0.005	>0.005-0.04
EP(/cm2)	<3000	<3000	0
Orientation	<100> // <111>
TTV	≤25μm
Bow	≤25μm
Wrap	≤25μm
Surface	E/E // P/E // P/D
Epi-ready	Yes

Specifiche dei wafer di Antimoniuro di Indio (InSb)

Growth Method	VGF
Type/Dopant	Undoped // N/S/Sn // P/Zn
Diameter(mm)	50.8 ± 0.3	76.2 ± 0.3
Thickness(um)	500 ± 25	650 ± 25
OF(mm)	16 ± 2	22 ± 2
IF(mm)	8 ± 2	12 ± 2
Orientation	<100>
TTV(um)	≤10	≤15
Bow(um)	≤15	≤15
Wrap(um)	≤15	≤15
Surface	Polished/Etched
Epi-ready	Yes

Specifiche dei wafer di Arseniuro di Indio (InAs)

Growth Method	VGF
Type/Dopant	Undoped // N/S/Sn // P/Zn
Diameter(mm)	50.8 ± 0.3	76.2 ± 0.3	100 ± 0.3
Thickness(um)	500 ± 25	600 ± 25	800 ± 25
OF(mm)	16 ± 2	22 ± 2	32.5 ± 2
IF(mm)	8 ± 2	12 ± 2	18 ± 2
Orientation	<100> // <111>
TTV(um)	≤10	≤10	≤15
Bow(um)	≤10	≤10	≤15
Wrap(um)	≤15	≤15	≤15
Surface	Polished/Etched
Epi-ready	Yes

Specifiche dei wafer di Nitruro di Gallio (GaN)

Conduct Type	Semi-Insulating	N	N
Type/Dopant	Fe	Ge	Undoped
Size	10×10.5mm // 100.5 ± mm
OF location/length	<1-100> ± 0.5° // 32.0 ± 1.0mm
IF location/length	<11-20> ± 3° // 18.0 ± 1.0mm
Orientation	C-plane<0001> off angle toward M-Axis 0.35° ± 0.15mm
Resistivity(300k)	≧1E6 ohm-cm <0.05ohm.cm <0.5ohm.cm
EPD	(1 ~ 9)E5/cm2 5E5 ~ 3E6/cm2 (1 ~ 3)E6/cm2
Ra(nm)	Frount surface Ra ≤0.2nm
TTV(um)	≤ 15
Bow(um)	≤ 20
Wrap(um)	≤ 20
Epi-ready	Yes