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Atomfab offre un processo ALD al plasma veloce, a basso danno e a bassa produzione di CoO per dispositivi GaN di potenza e RF. La tecnologia ALD di Atomfab offre film ultrasottili controllati con precisione per applicazioni avanzate su scala nanometrica, con rivestimento conforme di strutture di substrati sensibili.
Vantaggi
- CoO competitivo
- Manutenzione facile e veloce
- Eccellente uniformità del film
- Deposizione di alta qualità con bassa contaminazione del film
- Basso danno al substrato e bassi livelli di particelle
- Tempi di ciclo più rapidi, elevata produttività
- Gestione cluster e automatizzata dei wafer
- Pretrattamenti della superficie al plasma
I vantaggi dell’ALD al Plasma per dispositivi di GaN, potenza e RF
- Sorgente di plasma rivoluzionaria: Atomfab utilizza una sorgente remota in attesa di brevetto progettata specificamente per la lavorazione su scala atomica.
- Basso danno per i substrati sensibili per le massime prestazioni dei dispositivi.
- Tempi di ciclo rapidi e affidabilità con esposizione al plasma e deposizione di film uniformi
- Tempi di plasma brevi (250 ms) grazie all’AMU in attesa di brevetto
- Breve tempo di accensione (80 ms) per un’elevata produttività
- Tempo di accensione riproducibile e bassa potenza riflessa per una resa elevata
- Aumento della produttività e miglioramento dell’uniformità per portare l’ALD al plasma remoto in produzione.
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