Il PlasmaPro 100 Estrelas è progettato per offrire la massima flessibilità per applicazioni DRIE (deep reactive ion etch) tipicamente per applicazioni MEMS, packaging e nanotecnologiche.
Sviluppato per la ricerca e la produzione, il PlasmaPro 100 Estrelas è in grado di offrire massima flessibilità per processi Bosch e Criogenici.
Elevata velocità di attacco ed elevata selettività per processi Bosch
Pareti lisce ed elevato rapporto d’aspetto
Elevata anisotropicità e profilo verticale
Possibilità di ridurre la velocità e la potenza per gli attacchi nanometrici e controllo del notch (SOI)
Ampia gamma di applicazioni
Clampaggio meccanico o elettrostatico
Massima ripetibilità
Aumento dell’intervallo di tempo tra una pulizia e l’altra (MTBC)
CARATTERISTICHE
Compatibile con substrati da 50 a 200 mm
Auto match – Flessibilità di processo
MFC con flusso maggiorato e relativi generatori – per ottenere elevate densità di radicali
Volume della camera ridotto ed alta velocità di pompaggio – assicura un’elevata conduttanza
MFC a risposta ultrarapida – per un maggiore controllo del processo
APPLICAZIONI
BOSCH
Il DSiE Bosch viene utilizzato per la creazione di strutture tipicamente >1µm e profonde >10µm
MEMS per dispositivi, elettronica di consumo
Microfluidica
Dispositivi bionedici
TSV
Attacco di SiO2 e quarzo
Array di condensatori ad alto Q e risonatori ad alto Q per dispositivi quantistici
CRIOGENICHE
Il DSiE criogenico è usato specialmente per ottenere pareti laterali lisce e/o nano-incisioni e per materiali sensibili alla temperatura, in quanto fornisce un processo a bassa temperatura (-110°C).