Wafer di silicio

Descrizione

La nostra proposta relativa ai wafer di silicio comprende :

• Wafer standard
• Wafer con droggaggi su richiesta specifica
• Wafer con diametro su richiesta
• Wafer con strato deposto

Piu specificatamento possiamo realizzare :

• Possibilità di acquistare  piccoli e medi quantitativi
• Possibilità di comporre le caratteristiche dei wafers
• Alta qualità dei prodotti
• Qualsiasi tipo di flat
• Qualsiasi numero di flat per wafer
• Qualsiasi posizione dei flats

Wafer Standard

• Realizzazione di wafers con diametro  da 1ʺ a  6ʺ (10 ÷ 150 mm)
• Spessori fino a 5 mm
• Qualsiasi tipo di orientamento
• Qualsiasi numero e posizione dei flats
• Resistività: Czocharlsky intrinseco    Cz > 200 Ohm/cm (oltre questo valore non si riesce a misurare) *
• Drogaggio pesante:  P Bore 0,7 mOhm/cm/min. <3μm (6" >500μm)

* Per resistività maggiori occorre utilizzare dei wafer Fz (Floating Zone)

Caratteristiche qualitative

• Disponibili per piccoli e medi volumi completamente su misura da specifiche cliente
• Accuratezza dell’orientamento cristallino fino a 0,05° sulla lato e rispetto al flat  principale.
• Massima variazione di spessore sulle due facce del wafer TTV *:

 * Possibilità di fornire il valore di TTV di ogni singolo wafer a patto che questo sia identificato con laser marker

Campi applicativi

MEMS, Nanotubi, Graphene, Crescita materiali, Biochimica, Nano cablaggi

Link prodotto